Radiation Induced Charge Loss Mechanisms Across the Dielectrics of Floating Gate Flash Memories

2019 ◽  
Vol 6 (3) ◽  
pp. 807-843
Author(s):  
Giorgio Cellere ◽  
Andrea Cester ◽  
Alessandro Paccagnella
Elektron ◽  
2021 ◽  
Vol 5 (2) ◽  
pp. 100-104
Author(s):  
Lucas Sambuco Salomone ◽  
Mariano Garcia-Inza ◽  
Sebastián Carbonetto ◽  
Adrián Faigón

Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debidamente evaluado a través de la variación de la tasa de captura de los huecos generados por radiación. Se considera un modelo analítico simplificado y se discuten sus limitaciones.


2008 ◽  
Vol 55 (6) ◽  
pp. 2895-2903 ◽  
Author(s):  
Andrea Cester ◽  
Nicola Wrachien ◽  
James R. Schwank ◽  
Gyorgy Vizkelethy ◽  
Rosario Portoghese ◽  
...  

Author(s):  
Changbeom Woo ◽  
Myeongwon Lee ◽  
Shinkeun Kim ◽  
Jaeyeol Park ◽  
Gil-Bok Choi ◽  
...  

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