scholarly journals Nature of the Interstitials in Titanium Dioxide and Their Impact on Transmission Coefficient:Ab InitioCalculations

2015 ◽  
Vol 2015 ◽  
pp. 1-9
Author(s):  
Lei Li ◽  
Changfu Xia ◽  
Wenshi Li ◽  
Aimin Ji ◽  
Canyan Zhu ◽  
...  
Keyword(s):  
Titanium Dioxide ◽  
Ab Initio ◽  
Transport Properties ◽  
Transport Coefficients ◽  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
High Concentration ◽  
Access Memory ◽  
Excess Electrons

Theab initiocalculations about the properties of the interstitials doping in the rutile TiO2and their impact on the transport coefficients are reported. As the doping of the Zr or Ti interstitials in the TiO2, the lattice Ti4+ions acquire the excess electrons so reduced to the Ti3+or Ti2+ions. However, the Cu interstitials could not lose enough electrons to reduce the lattice Ti4+ions. Furthermore, the Ti or Cu interstitials in the ZrO2also are unable to promote the lattice Zr4+ions to form the lattice Zr3+or Zr2+ions. The high transport coefficients are observed in the defected TiO2with the Ti or Zr interstitials as the high concentration of the Ti3+or Ti2+ions. So, the Zr interstitials are the favorable choice for the extra-doping to improve the transport properties in the TiO2-based resistive random access memory.

A Combined Ab Initio and Experimental Study on the Nature of Conductive Filaments in ${\rm Pt}/{\rm Hf}{\rm O}_{2}/{\rm Pt}$ Resistive Random Access Memory

2014 ◽  
Vol 61 (5) ◽  
pp. 1394-1402 ◽  
Author(s):  
Kan-Hao Xue ◽  
Boubacar Traore ◽  
Philippe Blaise ◽  
Leonardo R. C. Fonseca ◽  
Elisa Vianello ◽  
...  
Keyword(s):  
Experimental Study ◽  
Ab Initio ◽  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
Access Memory

scholarly journals Электронная структура субоксидов кремния SiOx: ab initio моделирование / Перевалов Т.В.

2019 ◽  
pp. 334-334
Keyword(s):  
Ab Initio ◽  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
Access Memory ◽  
Quantum Espresso

SiOx<2 является перспективным материалом для использования в качестве запоминающего слоя ячейки резистивной памяти (Resistive Random-Access Memory, RRAM) [1]. Несмотря на многочисленные исследования SiOx, обусловленные его использованием в оптоэлектронных устройствах и солнечных элементах, электронная структура SiOx систематически не изучена. Чёткое понимание электронной структуры SiOx различного состава необходимы для контроля его свойств и оптимизации технологии RRAM на основе SiOx. Целью работы является исследование электронной структуры SiOx<2 с помощью ab initio моделирования. Моделирование проводилось в программном пакете Quantum ESPRESSO, основанном на теории функционала плотности с корректным воспроизведением значений ширины запрещённой зоны. Структура SiOx моделировалась последовательным удалением атомов кислорода из 18-атомной суперячейки α-SiO2 с последующей полной структурной релаксацией. Критериями выбора атомов кислорода для удаления были минимум полной энергии ячейки и равномерное уменьшение её объёма. Корректность расчётной методики подтверждается согласием рассчитанных и взятых из литературы экспериментальных зависимостей величины запрещённой зоны (Eg), а также показателя преломления (n) SiOx от величины x. Расчётное значение Eg = 8.0 эВ для SiO2 согласуется с известными из литературы данными, тогда как для чистого Si расчёт переоценивает Eg, что объясняется использованием в расчётах точной структуры SiO2 и модельной для Si. Спектры парциальной плотности состояний SiOx, совмещённые по краю нижней (O2s) валентной подзоны на 18.3 эВ ниже Ev для SiO2 (глубокие уровни наименее чувствительны к атомному окружению), позволяют построить энергетическую диаграмму SiOx. Диаграмма построена с использованием факта, что Ev в аморфном (a-) и кристаллическом (c-) Si имеют энергию 5.2 эВ от уровня электрона в вакууме; Eg=1.1 эВ для с-Si и 1.6 эВ и для a-Si. Приведённая диаграмма позволяет оценить энергию потенциальных барьеров для электронов (Фe) и дырок (Фh) на границе a-Si/SiOx и c-Si/SiOx для различных значений x. Уменьшение Eg при обогащении SiOx кремнием осуществляется за счёт примерно симметричного сдвига Ev и Eс в запрещённую зону SiO2. Верх валентной зоны SiOx формируется Si3p атомными орбиталями. Сдвиг Ev с уменьшением параметра x можно объяснить тем, что добавление O в SiOx сопровождается увеличением энергии связующих орбиталей Si – Si связи.

Effect of Conductive Filament Temperature on ZrO2 based Resistive Random Access Memory Devices

2020 ◽  
Vol 12 (2) ◽  
pp. 02008-1-02008-4
Author(s):  
Pramod J. Patil ◽  
◽  
Namita A. Ahir ◽  
Suhas Yadav ◽  
Chetan C. Revadekar ◽  
...  
Keyword(s):  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
Memory Devices ◽  
Access Memory ◽  
Conductive Filament ◽  
Filament Temperature

scholarly journals Improved Device Distribution in High-Performance SiNx Resistive Random Access Memory via Arsenic Ion Implantation

Nanomaterials ◽  
2021 ◽  
Vol 11 (6) ◽  
pp. 1401
Author(s):  
Te Jui Yen ◽  
Albert Chin ◽  
Vladimir Gritsenko
Keyword(s):  
High Performance ◽  
Conduction Mechanism ◽  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
Switching Behavior ◽  
Access Memory ◽  
Current Voltage ◽  
Current Voltage Characteristics ◽  
Limited Conduction

Large device variation is a fundamental challenge for resistive random access memory (RRAM) array circuit. Improved device-to-device distributions of set and reset voltages in a SiNx RRAM device is realized via arsenic ion (As+) implantation. Besides, the As+-implanted SiNx RRAM device exhibits much tighter cycle-to-cycle distribution than the nonimplanted device. The As+-implanted SiNx device further exhibits excellent performance, which shows high stability and a large 1.73 × 103 resistance window at 85 °C retention for 104 s, and a large 103 resistance window after 105 cycles of the pulsed endurance test. The current–voltage characteristics of high- and low-resistance states were both analyzed as space-charge-limited conduction mechanism. From the simulated defect distribution in the SiNx layer, a microscopic model was established, and the formation and rupture of defect-conductive paths were proposed for the resistance switching behavior. Therefore, the reason for such high device performance can be attributed to the sufficient defects created by As+ implantation that leads to low forming and operation power.

Multilevel oxygen-vacancy conductive filaments in β-Ga2O3 based resistive random access memory

2021 ◽  
Vol 23 (10) ◽  
pp. 5975-5983
Author(s):  
Jie Hou ◽  
Rui Guo ◽  
Jie Su ◽  
Yawei Du ◽  
Zhenhua Lin ◽  
...  
Keyword(s):  
Oxygen Vacancy ◽  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
Access Memory ◽  
Low Resistance ◽  
Multilevel Storage

In this study, at least three kinds of VOs and conductive filaments with low resistance states and forming and set voltages are found for β-Ga2O3 memory. This suggests the great potential of β-Ga2O3 memory for multilevel storage application.

Transparent resistive random access memory and its characteristics for nonvolatile resistive switching

2008 ◽  
Vol 93 (22) ◽  
pp. 223505 ◽  
Author(s):  
Jung Won Seo ◽  
Jae-Woo Park ◽  
Keong Su Lim ◽  
Ji-Hwan Yang ◽  
Sang Jung Kang
Keyword(s):  
Resistive Switching ◽  
Random Access ◽  
Random Access Memory ◽  
Resistive Random Access Memory ◽  
Access Memory
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document