through silicon via
Recently Published Documents

TOTAL DOCUMENTS

1022
(FIVE YEARS 27)

H-INDEX

44
(FIVE YEARS 0)
Latest Documents Most Cited Documents Contributed Authors Related Sources Related Keywords

A review on the mainstream through-silicon via etching methods

2022 ◽  
Vol 137 ◽  
pp. 106182
Author(s):  
Haoming Guo ◽  
Shengbin Cao ◽  
Lei Li ◽  
Xiaofeng Zhang
Keyword(s):  
Through Silicon Via

Signal Integrity Design and Analysis of a Spiral Through-Silicon Via (TSV) Array Channel for High Bandwidth Memory (HBM)

2021 ◽  
Author(s):  
Seongguk Kim ◽  
Taein Shin ◽  
Hyunwook Park ◽  
Daehwan Lho ◽  
Keeyoung Son ◽  
...  
Keyword(s):  
Signal Integrity ◽  
Through Silicon Via ◽  
High Bandwidth

(Invited) Through-Silicon Via Copper Plating and Endpoint Detection

2021 ◽  
Vol MA2021-02 (14) ◽  
pp. 658-658
Author(s):  
Rebecca Pauline Schmitt ◽  
Carlos R. Perez ◽  
Jessica N. McDow ◽  
Jaime L. McClain ◽  
Matthew B. Jordan ◽  
...  
Keyword(s):  
Copper Plating ◽  
Endpoint Detection ◽  
Through Silicon Via

Compact AC Modeling of Eddy Current for Cylindrical Through Silicon Via

2021 ◽  
pp. 1-13
Author(s):  
Chopali Chanchal Sahu ◽  
Vijay Rao Kumbhare ◽  
Manoj Kumar Majumder
Keyword(s):  
Eddy Current ◽  
Through Silicon Via

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ 3D-МИКРОСБОРОК ДЛЯ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

2021 ◽  
Vol 14 (7s) ◽  
pp. 250-252
Author(s):  
А.Ю. Новоселов
Keyword(s):  
Programmable Logic ◽  
Logic Device ◽  
Through Silicon Via ◽  
Programmable Logic Device ◽  
Complex Programmable Logic Device

ассмотрены параметры и конструктивные особенности систем в корпусе, разработанных на основе технологии 3D-монтажа, - схем памяти для аппаратуры космического применения. Предложены структура и схемотехника микросборки бортового компьютера на основе конструктива и технологии гибридного монтажа 3D-структур и отдельных кристаллов, включая CPLD (Complex Programmable Logic Device). Рассмотрен альтернативный принцип конструирования ячейки памяти, специализированной для применения в CPLD-микросхемах. Показаны результаты проектирования CPLD средней емкости для приборов космического применения. В качестве ключевой технологической базы использовался техпроцесс SOI 180 нм HV, 3D-структуры созданы с использованием TSV (Through-silicon via) интерпозеров (Interposer).

Load More ...
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document