EFFECT OF RAPID THERMAL TREATMENT CONDITIONS ON ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF CROMIUM THIN FILMS ON SILICON

Present paper is devoted the determination of the effect of the temperature of the process of rapid thermal treatment of chromium films on n-type conductivity silicon on their resistivity and contact properties of the interface. Chromium films of about 30 nm thickness were deposited by magnetron sputtering onto the surface of silicon substrates having a resistivity of 0.58 to 0.53 ohms×cm. The rapid thermal treatment was carried out in a heat balance mode by irradiating the back side of the substrates with non-coherent light flux in nitrogen ambient for 7 seconds. Quartz halogen incandescent lamps were used as the heating source. The temperature of the rapid thermal process ranged from 200 to 550 °C. The thickness of the chromium films was determined by raster electron microscopy. The surface resistance of the samples was measured by a four- probe method. The Schottky barrier height and the ideality factor were determined from I-V plots. It is shown that at the temperature of the rapid thermal process 400 °C a layer of chromium disilicide is formed, causing a sharp increase in the resistivity of chromium films to 1.2 mOhm×cm and the height of the Schottky barrier to 0.6 V. When the temperature of the rapid thermal process is further increased to 550 °C, the resistivity increases monotonically to 4.0 mOhm×cm due to the increase in the width of the interstitial boundaries increasing the scattering of charge carriers in the CrSi2 layers. It has also been shown that rapid thermal treatment of the Cr/Si structure at a temperature of 450–500 °C enables to obtain rectifying contacts with a barrier height of 0.615 V and an ideality factor of 1.1. The results obtained can be used in the technology of integrated electronics products containing Schottky contacts as well as thin film resistors.

DESALINASI AIR LIMBAH PABRIK TAHU MENGGUNAKAN MEMBRAN SILIKA DENGAN PREKURSOR TEOS (Tetraethyl orthosilicate)

Abstrak: Air limbah pabrik tahu jika dibuang langsung ke lingkungan menyebabkan pencemaran lingkungan yang akan merusak kualitas air, terutama air limbah tersebut dialirkan ke badan sungai. Oleh sebab itu, sangatlah diperlukan suatu teknologi yang efisien untuk pengolahan air limbah tahu ini. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mengetahui pengaruh performansi membran silika pada proses desalinasi via pervaporasi. Penelitian ini dilakukan dengan menyiapkan silika sol yang dipersiapkan dari proses sol-gel menggunakan prekursor TEOS dalam larutan etanol. Selanjutnya adalah dengan menggunakan metode “2 step acid and base catalysts” dengan menggunakan HNO3 dan NH3 sebagai katalis. Silica thin film yang dihasilkan berupa sol di-dipcoating dan kemudian dilakukan proses kalsinasi pada suhu 600oC selama 1 jam menggunakan metode RTP (Rapid Thermal Process). Jumlah lapisan/layer dari membran silika tersebut adalah berdasarkan pengulangan proses dipcoating dan kalsinasi yang mana pada penelitian ini menggunakan variasi 3 layer. Performansi membran ini dilakukan dengan proses desalinasi via pervaporasi dengan menggunakan air limbah tahu yang bertujuan untuk memperoleh air bersih. Adapun nilai water flux membrane ini berkisar antara 1,74 – 1,48 kg m-2 h-1 dengan rejection berkisar antara 93,63 – 89.27 %. Hasil ini membuktikan bahwa membrane silika bisa mengolah air limbah tahu menjadi potable water walaupun nilai water flux perlu ditingkatkan. Sebagai tambahan analisis, uji karakteristik membran seperti uji FTIR dilakukan untuk mengetahui gugus fungsi dari membran silika dan uji morfologi menggunakan SEM untuk mengetahui ketebalan lapisan membran yang dihasilkan. Keywords: limbah tahu, water flux, rejection, membran silika dan pervaporasi.