A Low Power Non-Volatile Memory Element Based on Copper in Deposited Silicon Oxide

2006 ◽  
Author(s):  
Muralikrishnan Balakrishnan ◽  
Sarath Chandran Puthen Thermadam ◽  
Maria Mitkova ◽  
Michael N. Kozicki
Keyword(s):  
Low Power ◽  
Silicon Oxide ◽  
Memory Element ◽  
Non Volatile Memory ◽  
Volatile Memory

scholarly journals Efektivitas alat tes servis bolavoli berbasis mikrokontroller

2020 ◽  
Vol 6 (2) ◽  
pp. 499-513
Author(s):  
Giartama Giartama ◽  
Destriani Destriani ◽  
Waluyo Waluyo ◽  
Muslimin Muslimin
Keyword(s):  
Low Power ◽  
High Performance ◽  
Non Volatile Memory ◽  
Volatile Memory ◽  
Microcontroller Unit

Ilmu pengetahuan dengan cepat harus menyesuaikan dengan tuntutan zaman. Berbagai cabang olahraga telah menggunakan kemajuan teknologi sebagai penunjang kegiatan baik dalam pembelajaran ataupun saat latihan khususnya pada olahraga cabang permainan bolavoli. Penelitian ini bertujuan untuk menguji efektivitas alat tes servis bolavoli berbasis mikrokontroller yang terdiri dari komponen-komponen seperti high performance, low power avr® 8-bit microcontroller unit, advanced risc architecture, high endurance non-volatile memory segments, peripheral features, special microcontroller features, dan menggunakan perangkat yang lain agar dapat digunakan untuk mengukur tes servis bolavoli. Penelitian ini menggunakan metode penelitian kuantitatif. Instrumen tes yang digunakan berupa tes keterampilan servis bolavoli. Subjek dalam penelitian ini yaitu untuk kelas pemula subjek penelitian mahasiswa semester 2 yang bukan merupakan atlet bolavoli, kemudian pada mahasiswa yang ekstrakurikulernya bolavoli, dan kelompok ketiga pada mahasiswa yang termasuk pada atlet nasional dan daerah dengan jumlah subjek sebanyak 60 orang. Hasil dari penelitian ini didapatkan nilai keefektifan sebesar 99,04% dengan mengklasifikasikan subjek penelitian menjadi tiga tingkat yang berbeda. Berdasarkan hasil tersebut dapat disimpulkan bahwa alat tes servis bolavoli berbasis mikrokontroller ini efektif digunakan baik bagi pemula hingga atlet professional.

scholarly journals Low power non-volatile memory switching in monolayer-rich 2D WS2 and MoS2 devices

AIP Advances ◽  
2020 ◽  
Vol 10 (2) ◽  
pp. 025102 ◽  
Author(s):  
C. Mihai ◽  
F. Sava ◽  
A. C. Galca ◽  
A. Velea
Keyword(s):  
Low Power ◽  
Memory Switching ◽  
Non Volatile Memory ◽  
Volatile Memory

Improvement of Vertical Diode Properties by N-type Plasma Doping for Low-Power Phase Change Non-Volatile Memory (NVM)

2011 ◽  
Author(s):  
Min Yong Lee ◽  
H. S. Lee ◽  
Y. J. Ki ◽  
Y. S. Sohn ◽  
H. S. Kang ◽  
...  
Keyword(s):  
Low Power ◽  
Phase Change ◽  
Plasma Doping ◽  
Non Volatile Memory ◽  
Volatile Memory

A GIDL free tunneling gate driver for a low power non-volatile memory array

2012 ◽  
Author(s):  
Hadar Dagan ◽  
Adam Teman ◽  
Alexander Fish ◽  
Evgeny Pikhay ◽  
Vladislav Dayan ◽  
...  
Keyword(s):  
Low Power ◽  
Memory Array ◽  
Non Volatile Memory ◽  
Gate Driver ◽  
Volatile Memory

Two Terminal Non-Volatile Memory Devices Using Diamond-Like Carbon and Silicon Nanostructures

2014 ◽  
Vol 95 ◽  
pp. 100-106 ◽  
Author(s):  
Sattam Alotaibi ◽  
Nare Gabrielyan ◽  
Shashi Paul
Keyword(s):  
Chemical Vapour ◽  
Memory Device ◽  
Silicon Nanostructures ◽  
Electronic Charge ◽  
Diamond Like Carbon ◽  
Memory Element ◽  
Current Time ◽  
Novel Device ◽  
Non Volatile Memory ◽  
Volatile Memory

This work illustrates a novel device for storing electronic charge and works as a non-volatile memory device. It is fabricated using an industrial technique and consists of silicon nanostructures and diamond like carbon (DLC) as a memory element and an ultra-thin barrier layer respectively. Both the silicon nanostructures and the DLC have been deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) technique. The nanostructures are sandwiched between two DLC layers. To understand the ability of silicon nanostructures to store electronic charge current-voltage (I-V) and current-time (I-t) measurements were carried out. The memory effect is noted as the difference between the two electrical conductivity states (low ‘‘0’’ and high ‘‘1’’).

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document