Interfacial Chemistry Enables Stable Cycling of All-Solid-State Li Metal Batteries at High Current Densities

Author(s):  
Biyi Xu ◽  
Xinyu Li ◽  
Chao Yang ◽  
Yutao Li ◽  
Nicholas S. Grundish ◽  
...  
2019 ◽  
Author(s):  
авторов Коллектив

Том 28 Трудов ФТИАН посвящен актуальным проблемам технологии микро- и наноэлектроники. Сборник включает в себя статьи, в которых представлены последние результаты сотрудников института по физике и моделированию процессов функционирования и технологии изготовления перспективных элементов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к разработке физических и математических моделей для эффективного исследования прочностной надежности многослойной наноэлектронной металлизации при больших плотностях тока, приводящих к сильной ионной электромиграции, анализа особенностей процессов, протекающих в нанотранзисторных структурах, а также возможностей совершенствования и оптимизации технологических процессов формирования наноструктурных элементов, в том числе и перспективных для создания полномасштабных твердотельных квантовых компьютеров. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей. The next volume 28 of Proceedings of Valiev IPT of RAS (FTIAN) is devoted to urgent problems of micro- and nanoelectronics technology. The topics covered include the articles which present the last results ot the institute scientists on physics and modeling of the processes of operation and fabrication technology of element base for up-to-date or promising micro- and nanoelectronics are presented. In particular, the problems considered refer to development of physical and mathematical models necessary for effective research of the strength reliability of manylayer nanoelectronic interconnections at high current densities leading to the strong ion electromigration, for analyzing the peculiarities of the processes taking place in nanotransistor structures, as well as possibilities for development and optimization of the technological processes of fabrication of nanostructural elements, including ones that are promising for creation of a fullscale solid-state quantum computer. For specialists in the field of micro- and nanoelectronics and undergraduate and postgraduate students of the appropriate disciplines.


1992 ◽  
Vol 275 ◽  
Author(s):  
J. Wecker ◽  
TH. Matthee ◽  
H. Behner ◽  
G. Friedl ◽  
K. Samwer

ABSTRACTSingle crystalline YSZ and Y2O3 thin films are grown on Si(100) by e-beam evaporation. The amorphous S1O2 surface layer is removed in-situ by initially growing at low oxygen partial pressures in the case of YSZ or by first evaporating metallic Y for the growth of Y2O3. Epitaxy occurs by a solid state reaction after the SiO2 has been reduced by metallic Zr or Y. For Si/YSZ/Y2O3 the growth is cube on cube while in the case of Si/Y2O3/YSZ the oxide layers grow twinned in (110) orientation. XPS analysis and AES depth profiles reveal the reoxidation of the Si during further growth. Critical temperatures of 90 K and high current densities of 3.2×106 A/cm2 are measured on 150 nm thick YBCO films on SOS/YSZ/Y2O3 proving the excellent quality of the YBCO and the underlying buffer layers.


2021 ◽  
Author(s):  
Yanfang Song ◽  
Joao R. C. Junqueira ◽  
Nivedita Sikdar ◽  
Denis Öhl ◽  
Stefan Dieckhöfer ◽  
...  

Author(s):  
Yanfang Song ◽  
Joao R. C. Junqueira ◽  
Nivedita Sikdar ◽  
Denis Öhl ◽  
Stefan Dieckhöfer ◽  
...  

2021 ◽  
pp. 2104243
Author(s):  
Xinyue Wang ◽  
Shaohua Feng ◽  
Weichao Lu ◽  
Yingjie Zhao ◽  
Sixing Zheng ◽  
...  

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document