Anodic dissolution of solid-state sintered silicon carbide at high current densities

2016 ◽  
Vol 68 (6) ◽  
pp. 645-650 ◽  
Author(s):  
M. Schneider ◽  
N. Schubert ◽  
A. Michaelis
Keyword(s):  
Silicon Carbide ◽  
Solid State ◽  
Anodic Dissolution ◽  
High Current ◽  
Current Densities ◽  
Sintered Silicon

Anodic dissolution of chromium at high current densities in sodium nitrate electrolyte

2018 ◽  
Vol 23 (2) ◽  
pp. 345-350
Author(s):  
M. Schneider ◽  
L. Simunkova ◽  
M. Manko ◽  
M. M. Lohrengel ◽  
W. Hoogsteen
Keyword(s):  
Anodic Dissolution ◽  
Sodium Nitrate ◽  
High Current ◽  
Current Densities

Abnormal polarization change in anodic dissolution of aluminium at high current densities

1981 ◽  
Vol 26 (1) ◽  
pp. 173-177 ◽  
Author(s):  
A.R. Despić ◽  
D.M. Dražić ◽  
S.K. Zečević ◽  
R.T. Atanasoski
Keyword(s):  
Anodic Dissolution ◽  
High Current ◽  
Polarization Change ◽  
Current Densities

The effect of carbon on surface quality of solid-state-sintered silicon carbide as optical materials

2014 ◽  
Vol 89 ◽  
pp. 7-12 ◽  
Author(s):  
Jian Chen ◽  
Zhengren Huang ◽  
Zhongming Chen ◽  
Ming Yuan ◽  
Yan Liu ◽  
...  
Keyword(s):  
Silicon Carbide ◽  
Solid State ◽  
Surface Quality ◽  
Optical Materials ◽  
Sintered Silicon

Труды Физико-технологического института. T. 28: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование

2019 ◽  
Author(s):  
авторов Коллектив
Keyword(s):  
Solid State ◽  
Mathematical Models ◽  
Quantum Computer ◽  
High Current ◽  
Fabrication Technology ◽  
Postgraduate Students ◽  
Technological Processes ◽  
Current Densities ◽  
Physical And Mathematical Models ◽  
Element Base

Том 28 Трудов ФТИАН посвящен актуальным проблемам технологии микро- и наноэлектроники. Сборник включает в себя статьи, в которых представлены последние результаты сотрудников института по физике и моделированию процессов функционирования и технологии изготовления перспективных элементов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к разработке физических и математических моделей для эффективного исследования прочностной надежности многослойной наноэлектронной металлизации при больших плотностях тока, приводящих к сильной ионной электромиграции, анализа особенностей процессов, протекающих в нанотранзисторных структурах, а также возможностей совершенствования и оптимизации технологических процессов формирования наноструктурных элементов, в том числе и перспективных для создания полномасштабных твердотельных квантовых компьютеров. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей. The next volume 28 of Proceedings of Valiev IPT of RAS (FTIAN) is devoted to urgent problems of micro- and nanoelectronics technology. The topics covered include the articles which present the last results ot the institute scientists on physics and modeling of the processes of operation and fabrication technology of element base for up-to-date or promising micro- and nanoelectronics are presented. In particular, the problems considered refer to development of physical and mathematical models necessary for effective research of the strength reliability of manylayer nanoelectronic interconnections at high current densities leading to the strong ion electromigration, for analyzing the peculiarities of the processes taking place in nanotransistor structures, as well as possibilities for development and optimization of the technological processes of fabrication of nanostructural elements, including ones that are promising for creation of a fullscale solid-state quantum computer. For specialists in the field of micro- and nanoelectronics and undergraduate and postgraduate students of the appropriate disciplines.

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document