SOI CMOS Devices-Part II

2002 ◽  
pp. 129-212
Keyword(s):  
Soi Cmos

ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СВЧ-КЛЮЧЕЙ В РАЗНЫХ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ БАЗИСАХ

2020 ◽  
Vol 96 (3s) ◽  
pp. 627-630
Author(s):  
А.Д. Калёнов ◽  
И.И. Мухин ◽  
В.В. Репин
Keyword(s):  
High Frequencies ◽  
Basic Parameters ◽  
Parasitic Effects ◽  
Soi Cmos

Представляется сравнение СВЧ-ключей, проектируемых в разных конструктивно-технологических базисах: КНИ, КМОП, биполярные и GaAs. Определенные трудности существуют при разработке ключей на сверхвысоких частотах, в разных технологиях необходимо учитывать различные эффекты. Наличие паразитных эффектов сильно осложняет разработку. В статье приводится оценка влияния паразитных эффектов на основные параметры СВЧ-ключей в разных конструктивно-технологических базисах. The paper offers a comparison of microwave keys designed in different structural and technological bases: SOI, CMOS, bipolar and GaAs. There are some difficulties in developing the keys to the ultra-high frequencies, in different technologies it is necessary to consider various effects. The presence of parasitic effects greatly complicates the development. The article provides an assessment of the influence of parasitic effects on the basic parameters of microwave keys in different structural and technological bases.

Heavy Ion Induced Upset Cross-Sections of 150nm SOI CMOS SRAMs Fabricated in UNIBOND

2019 ◽  
Vol 6 (4) ◽  
pp. 51-56 ◽  
Author(s):  
Michael S. Liu ◽  
Dave K. K. Nelson ◽  
Joseph C. Tsang ◽  
Harold L. Hughes
Keyword(s):  
Cross Sections ◽  
Heavy Ion ◽  
Soi Cmos

Variability analysis for sub-100 nm PD/SOI CMOS SRAM cell

2004 ◽  
Author(s):  
R.V. Joshi ◽  
S. Mukhopadhyay ◽  
D.W. Plass ◽  
Y.H. Chan ◽  
Ching-Te Chuang ◽  
...  
Keyword(s):  
Variability Analysis ◽  
Sram Cell ◽  
Soi Cmos

A 28Gb/s 4-tap FFE/15-tap DFE serial link transceiver in 32nm SOI CMOS technology

2012 ◽  
Author(s):  
John Bulzacchelli ◽  
Troy Beukema ◽  
Daniel Storaska ◽  
Ping-Hsuan Hsieh ◽  
Sergey Rylov ◽  
...  
Keyword(s):  
Cmos Technology ◽  
Serial Link ◽  
Serial Link Transceiver ◽  
Soi Cmos

Efficacy of Ar in reducing the kink effect on floating-body NFD/SOI CMOS

2002 ◽  
Author(s):  
D. Chang ◽  
S. Veeraraghavan ◽  
M. Mendicino ◽  
M. Rashed ◽  
D. Connelly ◽  
...  
Keyword(s):  
Floating Body ◽  
Kink Effect ◽  
Soi Cmos
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document