Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости

The photoluminescence spectra of epitaxial n ^+-Ge:P/Si(001) structures are studied. The structures are grown by hot-wire chemical vapor deposition and doped with phosphorus to the maximum electron concentration 1 × 10^20 cm^–3 from a source based on thermally decomposed GaP. The effects of the doping level and rapid thermal annealing of n ^+-Ge:P layers on the photoluminescence spectra are studied. It is demonstrated that the epitaxial n ^+-Ge:P/Si(001) layers grown by hot-wire chemical vapor deposition are promising for application as active regions of light-emitting optoelectronic devices operating in the near-infrared spectral region.

Semiempirical model of the ionospheric maximum electron concentration for South American middle latitudes

Se propone un modelo muy simple que da valores horarios de la máxima concentración electrónica en la ionosfera, representativa de las condiciones del verano, invierno y los equinoccios, para niveles de actividad solar tanto altos como bajos. La concentración de electrones se determina como la suma de dos términos, uno relacionado con los procesos fotoquímicos y difusivos y el otro con los mecanismos de transporte. Se dan expresiones analíticas simples para estos dos términos y los valores de la frecuencia crítica en la región F calculados usando estos términos se comparan con los valores observados en la isla de King George, Antártica y en Concepción, Chile.