One-dimensional semiconductor nanostructures: growth, characterization and device applications

2006 ◽  
Author(s):  
Sanjay Mathur ◽  
Hao Shen ◽  
Sven Barth ◽  
Nicole Donia
Keyword(s):  
Semiconductor Nanostructures ◽  
One Dimensional ◽  
Growth Characterization ◽  
Device Applications

scholarly journals One-dimensional semiconductor nanostructures grown on two-dimensional nanomaterials for flexible device applications

APL Materials ◽  
2021 ◽  
Vol 9 (6) ◽  
pp. 060907
Author(s):  
Young Joon Hong ◽  
Rajendra K. Saroj ◽  
Won Il Park ◽  
Gyu-Chul Yi
Keyword(s):  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Two Dimensional ◽  
One Dimensional ◽  
Flexible Device ◽  
Device Applications

scholarly journals Novel Properties of Semiconductor Nanowires

2021 ◽  
pp. 345-354
Author(s):  
Kruti Wohra ◽  
Arun Kumar Diwakar ◽  
Anant G. Kulkarni
Keyword(s):  
Optical Properties ◽  
Quantum Confinement ◽  
Review Paper ◽  
Semiconductor Nanowires ◽  
Phonon Transport ◽  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Wide Scope ◽  
Nanoscale Device ◽  
One Dimensional ◽  
Device Applications

Semiconductor nanowires guarantee to give the structure squares to another age of nanoscale electronic and optoelectronic gadgets and display novel electronic and optical properties inferable from their special underlying one-dimensionality and conceivable quantum confinement impacts in two measurements. With an expansive choice of creations and band structures, these one-dimensional semiconductor nanostructures are viewed as the basic segments in a wide scope of potential nanoscale device applications. This review paper explains the basic properties showed by semiconductor nanowires. Novel properties including nanowire miniature hole lasing, phonon transport, interfacial security, and synthetic detecting are reviewed.

One-Dimensional Inorganic Semiconductor Nanostructures

2012 ◽  
pp. 37-70
Author(s):  
Xiaosheng Fang ◽  
Liang Li ◽  
Ujjal Gautam ◽  
Tianyou Zhai ◽  
Yoshio Bando ◽  
...  
Keyword(s):  
Semiconductor Nanostructures ◽  
One Dimensional ◽  
Inorganic Semiconductor

scholarly journals Plasmon-excitonic polaritons in metal-semiconductor nanostructures with quantum wells

2018 ◽  
Vol 52 (5) ◽  
pp. 502
Author(s):  
V.A. Kosobukin
Keyword(s):  
Quantum Well ◽  
Quantum Wells ◽  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Bragg Diffraction ◽  
Rabi Splitting ◽  
One Dimensional ◽  
Exciton Coupling ◽  
Optical Reflection ◽  
Reflectivity Spectra ◽  
Bragg Structures

AbstractA theory of plasmon-exciton coupling and its spectroscopy is developed for metal-semiconductor nanostructures. Considered as a model is a periodic superlattice with cells consisting of a quantum well and a layer of metal nanoparticles. The problem is solved self-consistently using the electrodynamic Green’s functions taking account of resonant polarization. Coulomb plasmon-exciton interaction is associated with the dipole surface plasmons of particles and their image charges due to excitonic polarization of neighboring quantum well. Optical reflection spectra are numerically investigated for superlattices with GaAs/AlGaAs quantum wells and silver nanoparticles. Superradiant regime caused by one-dimensional Bragg diffraction is studied for plasmonic, excitonic and plasmon-excitonic polaritons depending on the number of supercells. The plasmon-excitonic Rabi splitting is shown to occur in reflectivity spectra of resonant Bragg structures.

scholarly journals Semiconductor nanostructures towards electronic and opto-electronic device applications V

2015 ◽  
Vol 12 (12) ◽  
pp. 1365-1366
Author(s):  
Iwan Moreels ◽  
Pascal André ◽  
Juan I. Climente ◽  
Peter Reece ◽  
Jean-Charles Ribierre
Keyword(s):  
Electronic Device ◽  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Device Applications

Recent advances in one-dimensional organic p–n heterojunctions for optoelectronic device applications

2016 ◽  
Vol 4 (40) ◽  
pp. 9388-9398 ◽  
Author(s):  
Qingyuan Li ◽  
Shang Ding ◽  
Weigang Zhu ◽  
Linlin Feng ◽  
Huanli Dong ◽  
...  
Keyword(s):  
Optoelectronic Device ◽  
Organic P ◽  
One Dimensional ◽  
Recent Advances ◽  
Device Applications ◽  
Optoelectronic Applications ◽  
Organic Heterojunctions

Recent advances in various one-dimensional organic heterojunctions including their synthesis and optoelectronic applications are summarized in this MiniRev article.

scholarly journals Semiconductor nanostructures for device applications

2015 ◽  
Author(s):  
Μοχάμεντ Άμπακερ-Ανταμ
Keyword(s):  
Methylene Blue ◽  
Rhodamine B ◽  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Device Applications ◽  
P Type

Στην παρούσα διατριβή παρουσιάζεται η σύνθεση ημιαγώγιμων νανοδομών και η εφαρμογή τους σε διατάξεις. Μέρος 1 Παρουσιάζεται η σύνθεση επιταξιακών εξαγωνικών δίσκων οξειδίου του Χαλκού CuO μέσω μίας υδροθερμικής διαδικασίας ανάπτυξης χαμηλής θερμοκρασίας. Η μορφολογική μελέτης καθώς και ο δομικός χαρακτηρισμός έχουν γίνει με τις μεθόδους FESEM, TEM, HRTEM και XRD αντίστοιχα. Οι οπτικές ιδιότητες μελετήθηκαν μέσω UV/VIS φασματοσκοπίας σε θερμοκρασία δωματίου, όπου υπολογίστηκαν τα έμμεσα και άμεσα χάσματα τα οποία είναι ελαφρώς μετατοπισμένα προς το μπλε σε σχέση με τις τιμές του μακροσκοπικού υλικού. Επίσης η καθαρότητα και η σύσταση των δειγμάτων μελετήθηκαν μέσω EDS και FTIR. Τέλος, έχει προταθεί ένας μηχανισμός ανάπτυξης για τον σχηματισμό των επιταξιακών εξαγωνικών δίσκων οξειδίων του χαλκού. Μέρος 2 Αναφέρεται στην παρασκευή υψηλής ευαισθησίας χημικών αισθητήρων 4-nitrophenol (4-NP) που βασίζονται στους νανοκύβους του CuO. Ο δομικός χαρακτηρισμός επιβεβαίωσε την νανοκρυσταλλική φύση και μονοκλινή δομή των δειγμάτων. Οι οπτικές ιδιότητες των νανοκύβων μελετήθηκαν με UV-Vis φασματοσκοπία σε θερμοκρασία δωματίου, και παρουσίασαν έμμεσο και άμεσο χάσμα. Οι νανοκύβοι CuO χρησιμοποιήθηκαν για την παρασκευή χημικών αισθητήρων 4-nitrophenol (4-NP) μέσω μίας απλής I-V τεχνικής. Οι αισθητήρες αυτοί παρουσίασαν υψηλή ευαισθησία ~132.84 ± 0.02 mA.cm-2.(mol L-1)-1 και όριο ανίχευσης ~5×10-9 mol L-1 σε μικρό χρόνο απόκρισης ~10.0 s. Μέρος 3 Παρουσιάζεται υψηλής απόδοσης σύνθεση, λεπτομερής χαρακτηρισμός και η εφαρμογή στη φωτοκατάλυση νανοσωματιδίων α-Fe2O3. Το φάσμα απορρόφησης UV-Vis παρουσίασε δύο οπτικά χάσματα που αντιστοιχούν σε άμεσες και έμμεσες μεταβάσεις αντίστοιχα. Τα νανοσωματίδια α-Fe2O3 εμφανίζουν καλές φωτοκαταλυτικές ιδιότητες στη καταλυτική υποβάθμιση του methylene blue. Μέρος 4 Παρουσιάζεται η σύνθεση νανοελλειψοειδών α-Fe2O3 μέσω μίας υδροθερμικής μεθόδου χαμηλής θερμοκρασίας και η χρήση τους για την παρασκευή χημικών αισθητήρων αμμωνίας υψηλής απόδοσης, με την I-V τεχνική. Οι λεπτομερείς δομικές και οπτικές ιδιότητες επιβεβαίωσαν την ρομβοεδρική δομή και τα άμεσα και έμμεσα ενεργειακά χάσματα αντίστοιχα. Οι αισθητήρες αυτοί παρουσίασαν υψηλή ευαισθησία ~4.678 µA.cm-2.mM-1 και όριο ανίχευσης ~0.04 nM με συντελεστή συσχέτισης (R) 0.995 σε μικρούς χρόνους απόκρισης (10.0 sec). Μέρος 5 Παρουσιάζεται η ευρείας κλίμακας σύνθεση νανονιφάδων SnS2 καθώς επίσης και ο χαρακτηρισμός τους. Οι φωτοκαταλυτικές ιδιότητες των νανονιφάδων SnS2 παρουσίασαν υποβάθμιση 61% της Rhodamine B υπό ακτινοβολία ορατού φωτός. Επιπλέον οι SnS2 νανονιφάδες χρησιμοποιήθηκαν για την παρασκευή χημικών αισθητήρων νιτροανιλίνης μέσω της I-V τεχνικής. Οι αισθητήρες παρουσίασαν υψηλή ευαισθησία ~ (505.82 ± 0.02) mA.cm-2.(mole/L)-1 και πειραματικό όριο ανίχνευσης ~15*10-6 (mole/L) σε μικρό χρόνο απόκρισης ~10.0 sec.Μέρος 6, Παρασκευάστηκε διάταξη ετεροδομής με νανοφύλλα SnS(p-type)/TiO2 νανοσωματίδια (n-type) επάνω σε γυαλί FTΟ με λεπτή επιφανειακή επίστρωση Pt δημιουργώντας μία διάταξη διόδου Pt/SnS/TiO2/FTO. Η ετεροδομή αυτή εμφάνισε βελτιωμένες ηλεκτρικές ιδιότητες με υψηλό ρεύμα 0.78 mA στο 1V, παράγοντα ιδεατότητας 31 και σχετικά υψηλό φράγμα δυναμικού 0.634 eV.Λέξεις κλειδιά: Ημιαγώγιμες νανοδομές, Οξείδιο του χαλκού, Οξείδιο του σιδήρου, Σουλφίδια του κασσιτέρου, Υδροθερμική διαδικασία, Οπτικό ενεργιακό χάσμα, Χημικοί αισθητήρες, Φωτοκαταλυτική υποβάθμιση, Δίοδος ετεροεπαφής.

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document