Characterization of time-modulated inductively coupled and capacitively coupled plasmas

2006 ◽  
Author(s):  
Sang Hun Seo ◽  
Hyun Soo Jeon ◽  
Shin Jae You ◽  
Hong Young Chang
Keyword(s):  
Capacitively Coupled ◽  
Inductively Coupled ◽  
Coupled Plasmas

Optical Characterization of RF Inductively Coupled Plasmas

2006 ◽  
pp. 489-502 ◽  
Author(s):  
A. E. Wendt ◽  
D. F. Beale ◽  
W. N. G. Hitchon ◽  
E. Keiter ◽  
V. Kolobov ◽  
...  
Keyword(s):  
Optical Characterization ◽  
Inductively Coupled Plasmas ◽  
Inductively Coupled ◽  
Coupled Plasmas

The electronic identity of inductive and capacitive plasmas

2008 ◽  
Vol 74 (2) ◽  
pp. 155-161 ◽  
Author(s):  
K. T. A. L. BURM
Keyword(s):  
Inductively Coupled Plasma ◽  
Optimal Operation ◽  
Identity Relation ◽  
Inductively Coupled Plasmas ◽  
Plasma Sources ◽  
Capacitively Coupled ◽  
Inductively Coupled ◽  
Capacitively Coupled Plasma ◽  
Coupled Plasmas ◽  
Operation Frequency

AbstractAn electronic identity relation, relating capacitively coupled plasma sources to corresponding inductively coupled plasma sources, has been derived, starting from the Maxwell relations for matter and the characteristics of a capacitor and of an inductor. Furthermore, the breakdown conditions for both capacitively coupled plasmas and for inductively coupled plasmas as well as their optimal operation frequency ranges are discussed.

scholarly journals Characterization of SiO2 Etching Profiles in Pulse-Modulated Capacitively Coupled Plasmas

Materials ◽  
2021 ◽  
Vol 14 (17) ◽  
pp. 5036
Author(s):  
Chulhee Cho ◽  
Kwangho You ◽  
Sijun Kim ◽  
Youngseok Lee ◽  
Jangjae Lee ◽  
...  
Keyword(s):  
Peak Power ◽  
Pulsed Plasma ◽  
Capacitively Coupled ◽  
Plasma Diagnosis ◽  
Self Bias ◽  
Coupled Plasmas ◽  
Off Time ◽  
Insight Into ◽  
Sio2 Etching

Although pulse-modulated plasma has overcome various problems encountered during the development of the high aspect ratio contact hole etching process, there is still a lack of understanding in terms of precisely how the pulse-modulated plasma solves the issues. In this research, to gain insight into previously observed phenomena, SiO2 etching characteristics were investigated under various pulsed plasma conditions and analyzed through plasma diagnostics. Specifically, the disappearance of micro-trenching from the use of pulse-modulated plasma is analyzed via self-bias, and the phenomenon that as power off-time increases, the sidewall angle increases is interpreted via radical species density and self-bias. Further, the change from etching to deposition with decreased peak power during processing is understood via self-bias and electron density. It is expected that this research will provide an informative window for the optimization of SiO2 etching and for basic processing databases including plasma diagnosis for advanced plasma processing simulators.

scholarly journals Electrical and optical characterization of RF capacitively coupled plasmas

2018 ◽  
Author(s):  
Ιωάννης Τσιγάρας
Keyword(s):  
Optical Characterization ◽  
Capacitively Coupled ◽  
Coupled Plasmas

Τις τελευταίες δεκαετίες οι εκκενώσεις αίγλης με τάση διέγερσης ραδιοσυχνότητας χρησιμοποιούνται ευρέως λόγω της εφαρμογής τους στη παρασκευή ημιαγωγών και φωτοβολταϊκών κελιών. Λόγω της πολύπλοκης φύσης των διεργασιών πλάσματος, είναι απαραίτητος ο έλεγχος των ιδιοτήτων τους για τη βελτιστοποίηση της μεταφοράς ισχύος στην εκκένωση καθώς και την επίτευξη σταθερών, αξιόπιστων και αναπαραγώγιμων συνθηκών. Για το λόγο αυτό χρησιμοποιούνται διάφορες μη παρεμβατικές τεχνικές για τη μέτρηση και τον υπολογισμό των χαρακτηριστικών της εκκένωσης. Ο υπολογισμός των μικροσκοπικών χαρακτηριστικών της εκκένωσης παρέχει χρήσιμες πληροφορίες για τους διάφορους μηχανισμούς κατανάλωσης ισχύος και οδηγεί στη βελτιστοποίηση της διεργασίας. Σκοπός της εργασίας αυτής είναι η χρησιμοποίηση ηλεκτρικών και οπτικών διαγνωστικών τεχνικών για τον υπολογισμό των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών της εκκένωσης. Στη κατεύθυνση αυτή, τρείς διαφορετικές πειραματικές τεχνικές αναπτύχθηκαν για το χαρακτηρισμό της παρασιτικής εμπέδησης του αντιδραστήρα και το μετέπειτα υπολογισμό των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών εκκενώσεων αργού. Διερευνήθηκε επίσης η διάδοση σφάλματος στον υπολογισμό της καταναλισκόμενης ισχύος μέσω ηλεκτρικών μετρήσεων τάσης ρεύματος και της σχετικής τους διαφοράς φάσης καθώς επίσης καθώς και οι παρέγοντες από τους οποίους εξαρτάται η μεταφορά ισχύος σε χωρητικά συζευγμένες εκκένωσεις αίγλης. Τέλος, εφαρμόστηκαν ηλεκτρικές μετρήσεις καθώς και Οπτική Φασματοσκοπία Εκπομπής για τον υπολογισμό της θερμοκρασίας ηλεκτρονίων σε εκκενώσεις αργού.Τα πειραματικά αποτελέσματα, υποδεικνύουν πως τόσο το εξωτερικό κύκλωμα όσο και οι συνθήκες της εκκένωσης επηρεάζουν άμεσα την ακρίβεια των μεθόδων καθώς και τη μεταφορά ισχύος στην εκκένωση. Για μεγάλες εμπεδήσεις εκκένωσης, σε χαμηλές πιέσεις, η μεταφορά ισχύος στην εκκένωση είναι μικρή και το σφάλμα στον υπολογισμό της καταναλισκόμενης ισχύος, το οποίο εξαρτάται από το μετρούμενο VSWR, είναι μεγάλο. Η ακρίβεια των ηλεκτρικών μετρήσεων καθώς και η μεταφορά ισχύος στην εκκένωση αυξάνονται σε υψηλότερες πιέσεις με τη μείωση της εμπέδησης της εκκένωσης. Τέλος, όταν χρειάζεται μόνο ένας ποιοτικός υπολογισμός της μεταβολής της θερμοκρασίας των ηλεκτρονίων, η προτεινόμενη μέθοδος του λόγου των δυο φασματικών γραμμών μπορεί να χρησιμοποιηθεί με ακρίβεια.

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document