Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy of InN on/in +c-GaN matrix and fabrication of fine-structure InN/GaN quantum wells: Impact of excess In-atoms at high growth temperature

2016 ◽  
Vol 120 (23) ◽  
pp. 235302 ◽  
Author(s):  
Akihiko Yoshikawa ◽  
Kazuhide Kusakabe ◽  
Naoki Hashimoto ◽  
Daichi Imai ◽  
Eun-Sook Hwang
Keyword(s):  
Fine Structure ◽  
Quantum Wells ◽  
Systematic Study ◽  
Growth Temperature ◽  
High Growth ◽  
Atomic Layer ◽  
Atomic Layer Epitaxy ◽  
High Growth Temperature

scholarly journals Fabricación y caracterización de diodos emisores de luz con emisión en la región verde azul

2017 ◽  
Vol 15 (19) ◽  
pp. 337
Author(s):  
Juan Carlos Salcedo Reyes
Keyword(s):  
Quantum Wells ◽  
Atomic Layer ◽  
Atomic Layer Epitaxy ◽  
Sobre Todo

El pasado 7 de octubre de 2014 se anunció, por parte del correspondiente comité, que el premio Nobel de Física 2014 se les concedió a los japoneses Isamu Akasaki, Hiroshi Amano y Shuji Nakamura por la invención de los diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en inglés) con emisión en la región verde-azul del espectro visible (Nakamura, Mukai & Senoh, 1991). La importancia de este invento está relacionada tanto con las potenciales aplicaciones de los LED azules como fuente de luz eficiente y ecológica, como en el desarrollo de los llamados sistemas cuánticos. Es así como actualmente el desarrollo de dispositivos electrónicos y opto-electrónicos, cuya región activa está constituida por estructuras cuánticas, está fuertemente modulado por la capacidad de fabricar dichas estructuras con una alta calidad cristalina, un alto control de la composición química y, sobre todo, con gran reproducibilidad. En este sentido, las técnicas de crecimiento epitaxial constituyen la piedra angular en el desarrollo tecnológico que supone la nano-electrónica. En este trabajo se plantean, en general, los diferentes procesos químicos y físicos que tienen lugar durante un crecimiento por Epitaxia de Capas Atómicas (Atomic Layer Epitaxy, ALE) de pozos cuánticos ultra-delgados (Ultra-Thin Quantum Wells, UTQW) de ZnXCd1-X.Se y se estudian, en particular, la cinética del proceso de adsorción de Zn dentro de la estructura cristalina en términos de una ecuación de reacción de primer orden que define la composición de la estructura en función de la temperatura del sustrato (Ts) y del flujo de átomos de zinc. Se obtienen los valores para la energía de activación, el factor pre-exponencial y la constante de adsorción de Zn. La composición química de los UTQW es uno de los parámetros más importantes para el diseño de estructuras cuánticas, ya que define la energía de emisión en potenciales aplicaciones opto-electrónicas y, en particular, en el desarrollo de LED azules y UV.

Exciton Spectra and Energy Transfer in CdTe/ZnTe Double Quantum Wells Grown by Atomic-Layer Epitaxy

2019 ◽  
Vol 53 (16) ◽  
pp. 2060-2063 ◽  
Author(s):  
V. Agekyan ◽  
M. Chukeev ◽  
G. Karczewski ◽  
A. Serov ◽  
N. Filosofov ◽  
...  
Keyword(s):  
Energy Transfer ◽  
Quantum Wells ◽  
Atomic Layer ◽  
Atomic Layer Epitaxy ◽  
Double Quantum

The Growth of AIGaAs/GaAs Heterostructures By Atomic Layer Epitaxy

1987 ◽  
Vol 102 ◽  
Author(s):  
S. P. Denbaars ◽  
A. Hariz ◽  
C. Beyler ◽  
B. Y. Maa ◽  
Q. Chen ◽  
...  
Keyword(s):  
Quantum Wells ◽  
Metalorganic Chemical Vapor Deposition ◽  
Chemical Vapor ◽  
Active Regions ◽  
Atomic Layer ◽  
Atomic Layer Epitaxy ◽  
High Quality ◽  
Monolayer Growth ◽  
Low Threshold ◽  
Kinetics Of

ABSTRACTThe kinetics of atomic layer epitaxy (ALE) of GaAs utilizing trimethylgallium and arsine are described. The results show that saturated monolayer growth can be achieved-in the temperature range 445°C -485°C and that high quality materials can be grown.. Hybrid A1GaAs/GaAs heterostructures have been grown utilizing ALE for the active regions and conventional metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) for the confining regions that yield high quality quantum wells and low threshold quantum well lasers.

Improved performance of 1.3μm multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer

2004 ◽  
Vol 85 (5) ◽  
pp. 704-706 ◽  
Author(s):  
H. Y. Liu ◽  
I. R. Sellers ◽  
T. J. Badcock ◽  
D. J. Mowbray ◽  
M. S. Skolnick ◽  
...  
Keyword(s):  
Quantum Dot ◽  
Growth Temperature ◽  
High Growth ◽  
Quantum Dot Lasers ◽  
High Growth Temperature ◽  
Spacer Layer ◽  
Improved Performance ◽  
Inas Quantum Dot
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