Influence of the Crystal Structure of Titanium Oxide on the Catalytic Activity of Rh/TiO2 in Steam Reforming of Propane at Low Temperature

2018 ◽  
Vol 24 (35) ◽  
pp. 8742-8746 ◽  
Author(s):  
Lin Yu ◽  
Katsutoshi Sato ◽  
Takaaki Toriyama ◽  
Tomokazu Yamamoto ◽  
Syo Matsumura ◽  
...  
Nanoscale ◽  
2021 ◽  
Author(s):  
Christopher M. Coaty ◽  
Adam A. Corrao ◽  
Victoria Petrova ◽  
Taewoo Kim ◽  
David P. Fenning ◽  
...  

Conversion reaction synthesis methods yield a nanoporous ZnO-supported Co catalyst with an anisotropic crystal structure and an anisotropic, hierarchical, columnar wall morphology that is highly efficient for steam reforming of ethanol to produce H2.


2020 ◽  
Vol 96 (3s) ◽  
pp. 148-153
Author(s):  
С.Д. Федотов ◽  
А.В. Бабаев ◽  
В.Н. Стаценко ◽  
К.А. Царик ◽  
В.К. Неволин

Представлены результаты изучения морфологии поверхности и структуры слоев AlN, сформированных аммиачной МЛЭ на темплейтах 3C-SiC/Si(111) on-axis- и 4° off-axis-разориентации. Опробован технологический режим низкотемпературной эпитаксии зародышевого слоя AlN на поверхности 3C-SiC(111). Среднеквадратичная шероховатость поверхности (5 х 5 мкм) слоев AlN толщиной 150 ± 50 нм составила 2,5-3,5 нм на темплейтах 3C-SiC/Si(111) on-axis и 3,3-3,5 нм на 4° off-axis. Показано уменьшение шероховатости смачивающего слоя AlN при изменении скорости роста. Получены монокристаллические слои AlN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) 1,4-1,6°. The paper presents the surface morphology and crystal structure of AlN layers formed by ammonia MBE on 3C-SiC/Si(111) on-axis and 4° off-axis disorientation. It offers the technological approach of low-temperature epitaxy of the AlN nucleation layer on the 3C-SiC (111) surface. Root mean square roughness (5 х 5 |xm) of AlN layers with thickness of 150 ± 50 nm was 2,5-3,5 nm onto on-axis templates and 3.3-3.5 nm onto 4° off-axis. It appears that the RMS roughness of the AlN surface is changing with the growth rate variation. Single-crystal AlN(0002) layers with FWHM values (ω-geometry) of 1.4-1.6° have been obtained.


1995 ◽  
Vol 270 (52) ◽  
pp. 31414
Author(s):  
Sunghee Kim ◽  
Sthanam V.L. Narayana ◽  
John E. Volanakis

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document