scholarly journals Analisa Pergeseran Magnetic Domain Wall Pada Lapisan Tipis Free Layer CoFeB Untuk Sistem Spin-Valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR) Sensor

2014 ◽  
Vol 17 (49) ◽  
Author(s):  
Galih Setyawan ◽  
Edi Suharyadi
Keyword(s):  
Domain Wall ◽  
Energy Exchange ◽  
Spin Valve ◽  
Magnetic Domain ◽  
Object Oriented ◽  
Free Layer ◽  
Magnetic Domain Wall ◽  
Software Object ◽  
Magneto Resistance

Telah dilakukan analisa pergeseran magnetic domain wall pada lapisan tipis free layer CoFeB untuk sistem spin-valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR). Analisa telah dilakukan dengan menggunakan software Object Oriented Micromagnetic Framework (OOMMF) berdasarkan persamaan Landau-Lifshitz Gilbert (LLG). Analisa pergeseran magnetic domain wall pada CoFeB yang mempunyai ukuran luas 120x100 nm2 dengan variasi ketebalan 1 dan 4 nm. Dari simulasi didapatkan hasil analisa pergeseran magnetic domain wall, histeresis loop dan energi dari sistem ferromagnetik (energy exchange dan demagnetisasi). Pada medan eksternal 299,9 Oersted CoFeB dengan ketebalan 1 nm nilai Mx/Ms adalah 0,99 dan pada ketebalan 4 nm nilai Mx/Ms adalah 0.93. Energi demagnetisasi mempunyai pola naik dengan bertambahnya medan luar dan energi exchange menurun dengan bertambahnya medan luar. 

scholarly journals Analisa Pergeseran Magnetic Domain Wall pada Lapisan Tipis Free Layer Co/Pd terhadap Pengaruh Dimensi Sampel (Halaman 55 s.d. 58)

2015 ◽  
Vol 18 (53) ◽  
Author(s):  
Umi Salamah ◽  
Edi Suharyadi
Keyword(s):  
Domain Wall ◽  
Magnetic Domain ◽  
Object Oriented ◽  
Free Layer ◽  
Magnetic Domain Wall ◽  
Software Object

Telah dilakukan analisa pergeseran magnetic domain wall pada lapisan tipis free layer Co/Pd dengan menggunakan software Object Oriented Micromagnetic Framework (OOMMF) berdasarkan persamaan Landau-Lifshitz Gilbert (LLG). Analisa dilakukan pada ukuran 100x100 nm dengan memvariasikan ukuran ketebalan yaitu 1 nm, 3 nm, dan 5 nm. Dengan pemberian medan eksternal dari arah sumbu (+)z, magnet saturasi dicapai pada 31.290 Oe untuk ketebalan 1 nm, 30.940 Oe pada ketebalan 3 nm, dan 30.660 Oe pada ketebalan 5 nm. Selanjutnya dilakukan analisa dengan variasi ukuran pada ketebalan 5 nm yaitu 100x100 nm, 300x100 nm dan 500x100 nm.  Magnet saturasi pada ukuran 300x100 nm dicapai pada pemberian medan eksternal sebesar 30.970 Oe dan magnet saturasi pada ukuran 500x100 nm dicapai pada pemberian medan eksternal sebesar 31.040 Oe.   

scholarly journals Magnetic domain wall propagation in a submicron spin-valve stripe: Influence of the pinned layer

2008 ◽  
Vol 92 (3) ◽  
pp. 032508 ◽  
Author(s):  
J. Briones ◽  
F. Montaigne ◽  
D. Lacour ◽  
M. Hehn ◽  
M. J. Carey ◽  
...  
Keyword(s):  
Domain Wall ◽  
Spin Valve ◽  
Magnetic Domain ◽  
Magnetic Domain Wall ◽  
Domain Wall Propagation

Current-induced resonant depinning of a transverse magnetic domain wall in a spin valve nanostrip

2010 ◽  
Vol 97 (18) ◽  
pp. 182506 ◽  
Author(s):  
P. J. Metaxas ◽  
A. Anane ◽  
V. Cros ◽  
J. Grollier ◽  
C. Deranlot ◽  
...  
Keyword(s):  
Domain Wall ◽  
Spin Valve ◽  
Magnetic Domain ◽  
Transverse Magnetic ◽  
Magnetic Domain Wall

Numerical Analysis of a Magnetic Domain Wall in a Magnetic Nanocontact

2005 ◽  
Vol 29 (2) ◽  
pp. 116-119
Author(s):  
T. Komine ◽  
T. Takahashi ◽  
R. Sugita ◽  
T. Muranoi ◽  
Y. Hasegawa
Keyword(s):  
Numerical Analysis ◽  
Domain Wall ◽  
Magnetic Domain ◽  
Magnetic Domain Wall

scholarly journals Snell's law for spin waves at a 90° magnetic domain wall

2020 ◽  
Vol 116 (11) ◽  
pp. 112402 ◽  
Author(s):  
Tomosato Hioki ◽  
Rei Tsuboi ◽  
Tom H. Johansen ◽  
Yusuke Hashimoto ◽  
Eiji Saitoh
Keyword(s):  
Domain Wall ◽  
Spin Waves ◽  
Magnetic Domain ◽  
Magnetic Domain Wall ◽  
Snell’S Law ◽  
Snell's Law
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document