Direct Growth of Horizontally Aligned Carbon Nanotubes between Electrodes and Its Application to Field-Effect Transistors

2011 ◽  
Vol 11 (12) ◽  
pp. 11011-11014 ◽  
Author(s):  
Yasuhiko Hayashi ◽  
B. Jang ◽  
T. Iijima ◽  
T. Tokunaga ◽  
A. Hayashi ◽  
...  
2021 ◽  
Author(s):  
Марина Евгеньевна Сычева ◽  
Светлана Анатольевна Микаева

В статье рассмотрены основные типы CNTFET транзисторов, изготовленных на углеродных нанотрубках. Представлена классификация, особенности конструкции и основные этапы технологии изготовления CNTFET транзисторов. Полевые транзисторы из углеродных нанотрубок (CNTFET) являются перспективными наноразмерными устройствами для реализации высокопроизводительных схем с очень плотной и низкой мощностью. The article considers the main types of CNTFET transistors made on carbon nanotubes. The classification, design features and the main stages of the CNTFET transistor manufacturing technology are presented. Carbon nanotube field effect transistors (CNTFET) are promising nanoscale devices for implementing high-performance circuits with very dense and low power.


2014 ◽  
Vol 16 (22) ◽  
pp. 10861-10865 ◽  
Author(s):  
Jia Gao ◽  
Yueh-Lin Loo

Presorted, semiconducting carbon nanotubes in the channels of field-effect transistors undergo simultaneous p-doping and oxidation during ozone exposure.


2006 ◽  
Vol 1 (2) ◽  
pp. 112-116 ◽  
Author(s):  
S. Talapatra ◽  
S. Kar ◽  
S. K. Pal ◽  
R. Vajtai ◽  
L. Ci ◽  
...  

2006 ◽  
Vol 45 (4B) ◽  
pp. 3680-3685 ◽  
Author(s):  
Bae-Horng Chen ◽  
Jeng-Hua Wei ◽  
Po-Yuan Lo ◽  
Zing-Way Pei ◽  
Tien-Sheng Chao ◽  
...  

Nano Research ◽  
2012 ◽  
Vol 5 (6) ◽  
pp. 388-394 ◽  
Author(s):  
Justin Wu ◽  
Liming Xie ◽  
Guosong Hong ◽  
Hong En Lim ◽  
Boanerges Thendie ◽  
...  

2010 ◽  
Vol 21 (34) ◽  
pp. 345301 ◽  
Author(s):  
Sung Myung ◽  
Sungjong Woo ◽  
Jiwoon Im ◽  
Hyungwoo Lee ◽  
Yo-Sep Min ◽  
...  

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document