A New Configuration of Surface Acoustic Wave Intermediate-Frequency Filter with Compact Size and Improved Insertion Loss

2006 ◽  
Vol 45 (2A) ◽  
pp. 841-845 ◽  
Author(s):  
Mei-Hui Chung ◽  
Shuming T. Wang
Keyword(s):  
Acoustic Wave ◽  
Surface Acoustic Wave ◽  
Insertion Loss ◽  
Intermediate Frequency ◽  
Frequency Filter ◽  
Compact Size

Low Insertion Loss Surface Acoustic Wave Matched Filter with Low Sidelobe Sequence and Its Application for Spread Spectrum Communication

1996 ◽  
Vol 35 (Part 1, No. 5B) ◽  
pp. 3024-3027 ◽  
Author(s):  
Takashi Shiba ◽  
Akitsuna Yuhara ◽  
Minoru Moteki ◽  
Yasuhiro Ota ◽  
Kazuhide Tamizu ◽  
...  
Keyword(s):  
Acoustic Wave ◽  
Surface Acoustic Wave ◽  
Insertion Loss ◽  
Spread Spectrum ◽  
Matched Filter ◽  
Spread Spectrum Communication ◽  
Low Sidelobe ◽  
Low Insertion Loss

scholarly journals SILICON COMPATIBLE ACOUSTIC WAVE RESONATORS: DESIGN, FABRICATION AND PERFORMANCE

2014 ◽  
Vol 15 (2) ◽  
Author(s):  
Aliza Aini Md Ralib ◽  
Anis Nurashikin Nordin
Keyword(s):  
Acoustic Wave ◽  
Quality Factor ◽  
Surface Acoustic Wave ◽  
Insertion Loss ◽  
Electromechanical Coupling ◽  
High Reliability ◽  
Bulk Acoustic Wave ◽  
Electromechanical Coupling Coefficient ◽  
Single Chip ◽  
Acoustic Wave Resonators

ABSTRACT: Continuous advancement in wireless technology and silicon microfabrication has fueled exciting growth in wireless products. The bulky size of discrete vibrating mechanical devices such as quartz crystals and surface acoustic wave resonators impedes the ultimate miniaturization of single-chip transceivers. Fabrication of acoustic wave resonators on silicon allows complete integration of a resonator with its accompanying circuitry.  Integration leads to enhanced performance, better functionality with reduced cost at large volume production. This paper compiles the state-of-the-art technology of silicon compatible acoustic resonators, which can be integrated with interface circuitry. Typical acoustic wave resonators are surface acoustic wave (SAW) and bulk acoustic wave (BAW) resonators.  Performance of the resonator is measured in terms of quality factor, resonance frequency and insertion loss. Selection of appropriate piezoelectric material is significant to ensure sufficient electromechanical coupling coefficient is produced to reduce the insertion loss. The insulating passive SiO2 layer acts as a low loss material and aims to increase the quality factor and temperature stability of the design. The integration technique also is influenced by the fabrication process and packaging.  Packageless structure using AlN as the additional isolation layer is proposed to protect the SAW device from the environment for high reliability. Advancement in miniaturization technology of silicon compatible acoustic wave resonators to realize a single chip transceiver system is still needed. ABSTRAK: Kemajuan yang berterusan dalam teknologi tanpa wayar dan silikon telah menguatkan pertumbuhan yang menarik dalam produk tanpa wayar. Saiz yang besar bagi peralatan mekanikal bergetar seperti kristal kuarza menghalang pengecilan untuk merealisasikan peranti cip. Silikon serasi  gelombang akustik resonator mempunyai potensi yang besar untuk menggantikan unsur-unsur diskret kerana keupayaan untuk mengintegrasikan dengan litar yang disertakan itu. Integrasi ini membawa kepada peningkatan prestasi, fungsi yang lebih baik dengan pengurangan kos pada pengeluaran jumlah yang besar. Oleh itu, Karya ini mengkaji silikon resonator akustik yang serasi, yang bersepadu dengan muka litar untuk membolehkan integrasi yang lengkap. Resonator gelombang akustik yang digunakan adalah gelombang permukaan akustik ( SAW ) dan gelombang akustik pukal ( BAW ) resonator . Kriteria penting untuk menilai prestasi resonator seperti faktor kualiti, frekuensi resonans dan kehilangan sisipan juga digariskan dalam setiap kerja sebelumnya. Pemilihan bahan piezoelektrik yang sesuai adalah penting untuk memastikan pekali gandingan elektromekanik yang mencukupi dihasilkan untuk mengurangkan kehilangan sisipan. Lapisan tambahan pasif SiO2   yang bertindak sebagai bahan rendah sisipan dipercayai meningkatkan faktor kualiti dan kestabilan suhu reka bentuk. Teknik integrasi juga dipengaruhi oleh proses fabrikasi dan pembungkusan. Struktur tanpa pembungkusan menggunakan AlN sebagai lapisan pengasingan tambahan itu dicadangkan untuk melindungi peranti SAW dari persekitaran untuk kebolehpercayaan yang tinggi. Banyak lagi kemajuan perlu dilakukan dalam pengecilan silikon serasi resonator gelombang akustik untuk merealisasikan sistem cip transceiver tunggal.KEYWORDS: RF-MEMS; piezoelectric; resonator; surface acoustic wave (SAW);bulk acoustic wave (BAW); FBAR

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document