scholarly journals Estimation of mass thickness response of embedded aggregated silica nanospheres from high angle annular dark-field scanning transmission electron micrographs

2013 ◽  
Vol 253 (2) ◽  
pp. 166-170 ◽  
Author(s):  
M. NORDIN ◽  
C. ABRAHAMSSON ◽  
C. HAMNGREN BLOMQVIST ◽  
H. HÄBEL ◽  
M. RÖDING ◽  
...  
Clay Minerals ◽  
2016 ◽  
Vol 51 (4) ◽  
pp. 603-613 ◽  
Author(s):  
Sayako Inoué ◽  
Toshihiro Kogure

AbstractThe distribution of octahedral cations in the two component layers of a 7 Å–14 Å interstratified mineral with a bulk chemical composition (Fe4.122+Mg0.07Mn0.01Al1.69□0.11)(Si2.56Al1.44) O10(OH)8 was investigated using high-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM) in combination with the image simulations. In the 14 Å component layers, comparison between the observed and simulated images revealed that the M4 sites of the interlayer sheets were occupied preferentially by Al together with a small amount of Fe; the other M1, M2 and M3 sites were occupied by dominant Fe and residual Al in equal proportions. Two types of octahedral sheets with disordered and ordered cation distributions were recognized in the 7 Å component layers. The two types of sheets were similar to the octahedral sheet of the 2:1 layer and the interlayer sheet in the 14 Å layer above, respectively. Irregular vertical stacking and lateral contact of the different component layers in structure and chemistry characterized the interstratification, which may be caused by rapid precipitation and accretion of the component layers in hydrothermal environments.


Author(s):  
Margarita Rivera Hernandez ◽  
Jesús Arenas-Alatorre

Sin lugar a duda, las técnicas de microscopía electrónica (ME) y microscopia de sonda de barrido (SPM) han contribuido enormemente al estudio de nanomateriales, dando información de propiedades morfológicas, estructurales, de superficie, eléctricas y magnéticas, entre muchas otras. Las técnicas más empleadas para estudios a nanoescala han sido las microscopías electrónicas de transmisión y barrido, y por otro lado, las de efecto túnel y de fuerza atómica, respectivamente. Los avances tecnológicos en los últimos años de estas técnicas han permitido límites de resolución que hace 25 años era inimaginables, siendo los últimos valores alcanzados de decenas de picómetros (10<sup>-12</sup> m). Cabe señalar, que más allá de esto, las técnicas de microscopia mencionadas han crecido en sus capacidades de análisis en el campo de las nanociencias y nanotecnología, dando lugar a otras técnicas como microscopía electrónica de barrido por transmisión (STEM, del inglés Scanning Transmission Electron Microscopy), Imagen en campo obscuro a ángulo grande en alta resolución (HR-HAADF, del inglés High Resolution - High Angle Annular Dark Field), Crio-Microscopía Electrónica, Tomografía electrónica, Espectroscopía de tunelamiento, Tunelamiento inelástico, Curvas de fuerza, etc. Lo anterior, no solo ha complementado la información morfológica y estructural, sino que también, ha contribuido al entendimiento de fenómenos de interacción y propiedades fisicoquímicas a escalas atómicas y moleculares. En este artículo se hace un análisis de la trascendencia actual que tienen las técnicas de microscopía electrónica, así como las de microscopia de sonda de barrido (SPM), y se menciona brevemente el alcance de estas técnicas como métodos de modificación de superficies a ultra alta resolución, como el caso de la nanolitografía y nanomanipulación, que estan abriendo un panorama enorme en el desarrollo de las  tecnologías del futuro.


2010 ◽  
Vol 16 (S2) ◽  
pp. 1764-1765 ◽  
Author(s):  
B Yuan ◽  
H Heinrich ◽  
B Yao ◽  
A Dutta

Extended abstract of a paper presented at Microscopy and Microanalysis 2010 in Portland, Oregon, USA, August 1 – August 5, 2010.


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