Self-consistent full-potential linearized-augmented-plane-wave local-density electronic-structure studies of magnetism and superconductivity inC15 compounds:ZrZn2andZrV2

1988 ◽  
Vol 37 (7) ◽  
pp. 3489-3496 ◽  
Author(s):  
Mei-chun Huang ◽  
H. J. F. Jansen ◽  
A. J. Freeman
Keyword(s):  
Electronic Structure ◽  
Plane Wave ◽  
Local Density ◽  
Full Potential ◽  
Augmented Plane Wave ◽  
Self Consistent ◽  
Linearized Augmented Plane Wave

scholarly journals Thermodynamic properties, electronic and crystallographic structure, and magnetic response of the Sr2HoNbO6 material

2018 ◽  
Vol 42 (164) ◽  
pp. 180
Author(s):  
Críspulo E. Deluque Toro ◽  
Ariday S. Mosquera Polo ◽  
Jorge I. Villa Hernández ◽  
David Arsenio Landínez Téllez ◽  
Jairo Roa-Rojas
Keyword(s):  
Thermodynamic Properties ◽  
Plane Wave ◽  
Local Density Approximation ◽  
Local Density ◽  
Crystallographic Structure ◽  
Magnetic Response ◽  
Full Potential ◽  
Density Approximation ◽  
Augmented Plane Wave ◽  
Linearized Augmented Plane Wave

En el presente trabajo se utilizó el código Wien2k, en el marco de la teoría del funcional de la densidad de Kohn-Sham, aplicando el método de ondas planas aumentadas y linealizadas (full-potential linearized augmented plane wave, FP- LAPW) y adoptando la aproximación de gradiente generalizado (GGA) de Perdew, Burke y Ernzerhof para la energía de intercambio y correlación, así como la aproximación de densidad local (local density approximation, LDA) para el cálculo de la densidad de estados y la estructura de bandas de la perovskita doble Sr2HoNbO6. Para los cálculos se consideró el grupo Fmm (#225), experimentalmente obtenido a partir de mediciones de difracción de rayos X y del método de refinamiento de Rietveld. El parámetro de red experimental fue de 8.018 Å, el cual concuerda en un 99,2 % con las predicciones teóricas efectuadas a partir de la minimización de la energía mediante la ecuación de estado de Murnaghan. A partir de mediciones de susceptibilidad magnética en función de la temperatura y del ajuste con la ley de Curie, se obtuvo el valor del momento magnético efectivo 10,01 μB. Este valor es muy cercano del esperado teóricamente a partir de las reglas de Hund (10,60 μB). La brecha de energía determinada entre las bandas de valencia y de conducción fue de 3,3 eV, lo que revela el carácter aislante de la perovskita compleja Sr2HoNbO6 para la configuración de espín hacia arriba, en tanto que se observó el carácter semiconductor para la polarización de espín hacia abajo, con una brecha de energía de 0,77 eV. Las propiedades termodinámicas se calcularon a partir de la ecuación de estado usando el modelo cuasi-armónico de Debye. Un comportamiento del calor específico, con CV≈CP, se encontró a temperaturas inferiores a T = 500 K, con valores del límite de Dulong-Petit que doblaban los que se han reportado para materiales del tipo de la perovskita. © 2018. Acad. Colomb. Cienc. Ex. Fis. Nat.

Structure Stability and Electronic Structure of Semiconducting Rhenium Silicide with Doping

2007 ◽  
Vol 26-28 ◽  
pp. 1029-1032 ◽  
Author(s):  
An Ning Qiu ◽  
Lan Ting Zhang ◽  
Jian Sheng Wu
Keyword(s):  
Electronic Structure ◽  
Fermi Level ◽  
Local Density ◽  
Structure Stability ◽  
Full Potential ◽  
Density Of State ◽  
Al Doping ◽  
Augmented Plane Wave ◽  
Semiconductor Behavior ◽  
Linearized Augmented Plane Wave

Full-potential linearized augmented plane-wave (FP-LAPW) method within the local density approximation plus self-interaction correction (LDA+USIC) has been applied to study the structure stability and electronic structure of ReSi1.75 and its doped systems with Al and Mo. Structural relaxation results show that the vacancy prefers to occupy the Si3 and Si4 site in the lattice with little ordering. For doping systems, Al prefers to substitute for Si at the Si3 site and Mo prefers to substitute for Re at the Re1 site. ReSi1.75 shows narrow gap semiconductor behavior with an indirect gap of 0.12 eV and a direct gap of 0.36 eV. Al doping compound remains semiconductor while Mo doping compound has a tendency to change into semimetals or metals. The Fermi level of doped systems moves into the valence band resulting in an increase of density of state at the Fermi level. It will enhance the thermoelectric properties and agrees well with the experiment results.

Evolution of the electronic structure of metallic multilayers from two to threedimensionality. A Full Potential Linearized Augmented Plane Wave calculation.

2002 ◽  
Vol 727 ◽  
Author(s):  
A. M. Mazzone
Keyword(s):  
Plane Wave ◽  
Density Of States ◽  
Noble Metals ◽  
Full Potential ◽  
Metallic Multilayers ◽  
Augmented Plane Wave ◽  
Narrow Bandwidth ◽  
Epitaxial Multilayers ◽  
Linearized Augmented Plane Wave ◽  
Wave Calculation

AbstractFull Potential Linearized Augmented Plane Wave calculations have been performed for epitaxial multilayers formed by the noble metals Ag and Cu with a thickness n up to 10 layers. The multilayers have a fcc lattice and are pure or compositionally modulated with a structure of the type Agn Cun or (AgCu)n. For n in the range 2,3 the density of states, evaluated at paramagnetic level, exhibits a sharp reduction of the bandwidth which is consistent with the reduced coordination of these structures. For n ≤ 5 the density of states in the central layers converges to the bulk value while the outer layers retain the narrow bandwidth found at n=2. Due to the absence of charge intermixing and hybridization, these features are shared by multilayers of all composition.

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