Welding—the modern method of production

1934 ◽  
Vol 13 (10) ◽  
pp. 517
Author(s):  
P.L. Roberts
1934 ◽  
Vol 13 (10) ◽  
pp. 522
Author(s):  
Ashworth ◽  
F.W. Shaw ◽  
Tyson ◽  
Roberts ◽  
Eckersley ◽  
...  

Author(s):  
A.B. Movsisyan ◽  
◽  
A.V. Kuroyedov ◽  
G.A. Ostapenko ◽  
S.V. Podvigin ◽  
...  

Актуальность. Определяется увеличением заболеваемости глаукомой во всем мире как одной из основных причин снижения зрения и поздней постановкой диагноза при имеющихся выраженных изменений со стороны органа зрения. Цель. Повысить эффективность диагностики глаукомы на основании оценки диска зрительного нерва и перипапиллярной сетчатки нейросетью и искусственным интеллектом. Материал и методы. Для обучения нейронной сети были выделены четыре диагноза: первый – «норма», второй – начальная глаукома, третий – развитая стадия глаукомы, четвертый – глаукома далеко зашедшей стадии. Классификация производилась на основе снимков глазного дна: область диска зрительного нерва и перипапиллярной сетчатки. В результате классификации входные данные разбивались на два класса «норма» и «глаукома». Для целей обучения и оценки качества обучения, множество данных было разбито на два подмножества: тренировочное и тестовое. В тренировочное подмножество были включены 8193 снимка с глаукомными изменениями диска зрительного нерва и «норма» (пациенты без глаукомы). Стадии заболевания были верифицированы согласно действующей классификации первичной открытоугольной глаукомы 3 (тремя) экспертами со стажем работы от 5 до 25 лет. В тестовое подмножество были включены 407 снимков, из них 199 – «норма», 208 – с начальной, развитой и далекозашедшей стадиями глаукомы. Для решения задачи классификации на «норма»/«глаукома» была выбрана архитектура нейронной сети, состоящая из пяти сверточных слоев. Результаты. Чувствительность тестирования дисков зрительных нервов с помощью нейронной сети составила 0,91, специфичность – 0,93. Анализ полученных результатов работы показал эффективность разработанной нейронной сети и ее преимущество перед имеющимися методами диагностики глаукомы. Выводы. Использование нейросетей и искусственного интеллекта является современным, эффективным и перспективным методом диагностики глаукомы.


2020 ◽  
Vol 783 (8) ◽  
pp. 4-8
Author(s):  
Syromyasov V.A. ◽  
◽  
Vakalova T.V. ◽  
Storozhenko G.I. ◽  
◽  
...  

Author(s):  
A. U. Zamurayeva ◽  
Е. T. Supiyeva ◽  
B Sh. Orynbayeva

Relevance. The modern method of infiltration provides an opportunity to stop the spread of pathogenic bacteria and the development of caries at the white spot stage, replacing the destroyed enamel cells with special polymers having low viscosity and high penetrating ability. The stabilization of the process is achieved in a short time with the maximum safety of their tissues. Purpose. Treatment of initial tooth decay in children by infiltration, assessment of the effectiveness and advantages of modern technology. Materials and methods. Clinical examination was carried out according to generally accepted methods. Additionally, a laser diagnostic method was used using the KaVo DIAGNOdent device (Germany). The LLP Dentistry Center «Zhaik Dent» and the LLP «Concept» used the Icon system for the treatment of initial caries and after orthodontic treatment for 25 children with 54 teeth. Results. At the end of tooth treatment with the Icon infiltration method, parents and the child were given recommendations: from the next day, brush your teeth 2 times a day, rinse your mouth regularly after eating, do not drink drinks, products with coloring substances. To monitor the result of treatment, the child was prescribed for reexamination after 7-10 days, after one month, in the following periods – once a year.After working with the material of the Icon system, the authors noted the pronounced effects of the treatment of initial caries by the method of infiltration.Conclusions. 1. The method of infiltration is a modern and promising technology for the treatment of dental caries at an early stage without losing healthy tissues. 2. The Icon infiltration method makes it possible to stop the spread of pathogenic bacteria and develop tooth decay at the white spot stage, replacing the destroyed enamel cells with special polymers having low viscosity and high penetrating ability. 3. The stabilization of the carious process is achieved in a short time with the maximum preservation of the tooth's tissues. 


2020 ◽  
Vol 96 (3s) ◽  
pp. 154-159
Author(s):  
Н.Н. Егоров ◽  
С.А. Голубков ◽  
С.Д. Федотов ◽  
В.Н. Стаценко ◽  
А.А. Романов ◽  
...  

Высокая плотность структурных дефектов является основной проблемой при изготовлении электроники на гетероструктурах «кремний на сапфире» (КНС). Современный метод получения ультратонких структур КНС с помощью твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации позволяет значительно снизить дефектность в гетероэпитаксиальном слое КНС. В данной работе ультратонкие (100 нм) слои КНС были получены путем рекристаллизации и утонения субмикронных (300 нм) слоев кремния на сапфире, обладающих различным структурным качеством. Плотность структурных дефектов в слоях КНС оценивалась с помощью рентгеноструктурного анализа и просвечивающей электронной микроскопии. Кривые качания от дифракционного отражения Si(400), полученные в ω-геометрии, продемонстрировали максимальную ширину на полувысоте пика не более 0,19-0,20° для ультратонких слоев КНС толщиной 100 нм. Формирование структурно совершенного субмикронного слоя КНС 300 нм на этапе газофазной эпитаксии обеспечивает существенное уменьшение плотности дислокаций в ультратонком кремнии на сапфире до значений ~1 • 104 см-1. Тестовые n-канальные МОП-транзисторы на ультратонких структурах КНС характеризовались подвижностью носителей в канале 725 см2 Вс-1. The high density of structural defects is the main problem on the way to the production of electronics on silicon-on-sapphire (SOS) heteroepitaxial wafers. The modern method of obtaining ultrathin SOS wafers is solid-phase epitaxial recrystallization which can significantly reduce the density of defects in the SOS heteroepitaxial layers. In the current work, ultrathin (100 nm) SOS layers were obtained by recrystallization and thinning of submicron (300 nm) SOS layers, which have various structural quality. The density of structural defects in the layers was estimated by using XRD and TEM. Full width at half maximum of rocking curves (ω-geometry) was no more than 0.19-0.20° for 100 nm ultra-thin SOS layers. The structural quality of 300 nm submicron SOS layers, which were obtained by CVD, depends on dislocation density in 100 nm ultrathin layers. The dislocation density in ultrathin SOS layers was reduced by ~1 • 104 cm-1 due to the utilization of the submicron SOS with good crystal quality. Test n-channel MOS transistors based on ultra-thin SOS wafers were characterized by electron mobility in the channel 725 cm2 V-1 s-1.


Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document