Environmental Declaration in compliance with ISO 14025 thanks to a collaborative program of electrical and electronic industry: the PEP ecopassport program

2013 ◽  
Author(s):  
M. Hassanzadeh ◽  
S. Theoleyre ◽  
R. Metz ◽  
C. Jollain
Keyword(s):  
Electronic Industry ◽  
Collaborative Program ◽  
Iso 14025

Variables That Affect the Product Quality: A Study in an Electronic Industry of the Manaus Industrial Pole, Brazil

2019 ◽  
Author(s):  
Daniel Nascimento-e-Silva ◽  
Sharla Brunet Costa Valente ◽  
Chiara da Silva Simões ◽  
Marison Luiz Soares
Keyword(s):  
Product Quality ◽  
Electronic Industry

КОМПЛЕКС БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И МИС СВЧ-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ GAN И GAAS С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ

2020 ◽  
Vol 96 (3s) ◽  
pp. 343-346
Author(s):  
А.Н. Алексеев ◽  
С.И. Петров
Keyword(s):  
Ohmic Contacts ◽  
Field Effect Transistors ◽  
Production Cycle ◽  
Electronic Industry ◽  
Plasma Chemical ◽  
High Power Field ◽  
Mbe Growth ◽  
Technological Processes ◽  
Plasma Chemical Etching ◽  
Problems And Solutions

Представлены результаты разработки базовых технологических процессов, используемых при получении мощных полевых транзисторов и МИС СВЧ-диапазона на основе GaN и GaAs, таких как: выращивание гетероструктур методом МЛЭ, металлизация и отжиг омических контактов, травление мезаизоляции, затворная металлизация, пассивация диэлектриком и др. Обсуждаются основные проблемы и пути их решения, в том числе особенности технологических процессов глубокого плазмохимического травления для формирования сквозных металлизированных отверстий в SiC и GaAs. Отдельное внимание уделено вопросам обеспечения однородности и воспроизводимости и их влиянию на выход годных структур. Продемонстрированы результаты использования ряда технологических процессов в производственном цикле АО «Светлана-Рост» и других предприятий радиоэлектронной промышленности. The paper presents the results of the development of basic technological processes used in the production of microwave high-power field-effect transistors based on GaN and GaAs such as: MBE growth, metallization and annealing of ohmic contacts, etching of mesa insulation, gate metallization, passivation by dielectric etc. The main problems and solutions including features of technological processes of deep plasma-chemical etching in SiC and GaAs have been discussed. Special attention is paid to the issues of uniformity and reproducibility and their impact on the yield of structures. The results of the use of technological processes in the production cycle of Svetlana-Rost JSC and other enterprises of the radio-electronic industry have been demonstrated.

The Electronic Industry

2018 ◽  
pp. 1-18
Author(s):  
E. J. Roberts ◽  
V. Smith ◽  
John S. C. English
Keyword(s):  
Electronic Industry
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document