Electronic and optical properties of semiconductor nanostructures

2003 ◽  
Vol 237 (1) ◽  
pp. 320-340 ◽  
Author(s):  
G. Iadonisi ◽  
G. Cantele ◽  
V. Marigliano Ramaglia ◽  
D. Ninno
Keyword(s):  
Optical Properties ◽  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Electronic And Optical Properties

scholarly journals Electronic and optical properties of semiconductor nanostructures

2014 ◽  
Author(s):  
Zaiping Zeng
Keyword(s):  
Optical Properties ◽  
Effective Mass ◽  
Configuration Interaction ◽  
Semiconductor Nanostructures ◽  
Pseudopotential Method ◽  
Electronic And Optical Properties ◽  
Empirical Pseudopotential Method

Στόχος της παρούσας διατριβής είναι η μελέτη των ηλεκτρονικών και οπτικών ιδιοτήτων νανοδομώνημιαγωγών κάνοντας χρήση κατάλληλων υπολογιστικών μεθόδων και τεχνικών. Η διατριβή χωρίζεταισε τρία μέρη.Το πρώτο μέρος εστιάζει στην θεωρία της ενεργούς μάζας (Effective-mass Theory) και τις εφαρμογέςτης. Στο πρώτο κεφάλαιο παρουσιάζεται το απαραίτητο θεωρητικό υπόβαθρο και δίνεται μίασυνοπτική περιγραφή των συνηθέστερων μεθόδων επίλυσης της μονοηλεκτρονιακής εξίσωσης τουSchrodinger, δίνοντας ιδιαίτερη έμφαση στην μέθοδο μορφοποίησης δυναμικού (Potential MorphingMethod). Στα επόμενα κεφάλαια του πρώτου μέρους οι τεχνικές και μέθοδοι που περιγράφηκανχρησιμοποιούνται για την μελέτη κρίσιμων ιδιοτήτων και παραμέτρων σε νανοσυστήματα ημιαγωγών.Μεταξύ αυτών είναι: i) η ενέργεια δέσμευσης υδρογονοειδών προσμίξεων τύπου δότη υπό τηνεπίδραση στατικού ηλεκτρικού ή/και μαγνητικού πεδίου, ii) γραμμικές και μη γραμμικές οπτικέςιδιότητες που συνδέονται με intraband μεταβάσεις εντός ζώνης σε κβαντικές τελείες ημιαγωγών,κβαντικές τελείες με δομή πυρήνα-φλοιού και σε μεικτά συστήματα κβαντικής τελείας – κβαντικούδακτυλίου.Το δεύτερο μέρος εστιάζει στην θεωρία των ψευδοδυνάμικών και τις εφαρμογές της. Αρχικάπαρουσιάζεται το απαραίτητο θεωρητικό υπόβαθρο της μεθόδου εμπειρικών ψευδοδυναμικών(Empirical Pseudopotential Method) καθώς επίσης και της μεθόδου αλληλεπίδρασης διαμορφώσεων(Configuration Interaction). Στην συνέχεια, οι προαναφερθείσες τεχνικές εφαρμόζονται στην μελέτη τωνηλεκτρονικών και οπτικών ιδιοτήτων σε μία πληθώρα νανοδομών ημιαγωγών II-VI. Μεταξύ τωνιδιοτήτων αυτών είναι: το ενεργειακό χάσμα, η μετατόπιση Stokes, η λεπτή δομή των εξιτονίων, ηοπτική πόλωση και τα φάσματα απορρόφησης.Το τρίτο μέρος της διατριβής περιλαμβάνει το παράρτημα, στο οποίο παρατίθενται οι δώδεκαδημοσιευμένες εργασίες.

ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF QUASIPERIODIC FIBONACCI SUPERLATTICES

1987 ◽  
Vol 48 (C5) ◽  
pp. C5-529-C5-532 ◽  
Author(s):  
F. LARUELLE ◽  
V. THIERRY-MIEG ◽  
M. C. JONCOUR ◽  
B. ETIENNE
Keyword(s):  
Optical Properties ◽  
Electronic And Optical Properties

First principles calculation of structural, electronic and optical properties of (001) and (110) growth axis (InN)/(GaN)n superlattices

2021 ◽  
Vol 67 (1 Jan-Feb) ◽  
pp. 7
Author(s):  
B. Bachir Bouiadjra ◽  
N. Mehnane ◽  
N. Oukli
Keyword(s):  
Optical Properties ◽  
Density Functional ◽  
Electronic Band Structure ◽  
Scale Up ◽  
Energy Scale ◽  
First Principles Calculation ◽  
Full Potential ◽  
Electronic Band ◽  
Electronic And Optical Properties ◽  
Growth Axis

Based on the full potential linear muffin-tin orbitals (FPLMTO) calculation within density functional theory, we systematically investigate the electronic and optical properties of (100) and (110)-oriented (InN)/(GaN)n zinc-blende superlattice with one InN monolayer and with different numbers of GaN monolayers. Specifically, the electronic band structure calculations and their related features, like the absorption coefficient and refractive index of these systems are computed over a wide photon energy scale up to 20 eV. The effect of periodicity layer numbers n on the band gaps and the optical activity of (InN)/(GaN)n SLs in the both  growth axis (001) and (110) are examined and compared. Because of prospective optical aspects of (InN)/(GaN)n such as light-emitting applications, this theoretical study can help the experimental measurements.

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document